|
Ürün ayrıntıları:
|
| Ürün adı: | MOSFET güç transistör | Kavşak Sıcaklık: | 150℃ |
|---|---|---|---|
| VDS: | 207 | Model numarası: | HXY4606 |
| Özellikleri: | Yüzey montaj paketi | dava: | Bant / Tepsi / Makara |
| Vurgulamak: | yüksek akım mosfet anahtarı,yüksek gerilim transistörü |
||
HXY4616 30V Tamamlayıcı MOSFET
Açıklama
HXY4616, mükemmel RDS (ON) ve düşük kapı şarjı sağlamak için gelişmiş kanal açma teknolojisi kullanır. Bu tamamlayıcı N ve P kanal MOSFET yapılandırması, düşük Giriş Voltajlı invertör uygulamaları için idealdir.
.
N-Kanal Elektrik Özellikleri ( Aksi belirtilmedikçe T J = 25 ° C )
A. R θ JA'nın değeri, 1 A = 25 ° C'ye monte edilmiş cihazla ölçülür. Herhangi bir uygulamadaki değer, kullanıcının özel pano tasarımına bağlıdır.
2 oz ile 2 FR-4 kurulu. Bakır, T ile hareketsiz bir ortamda
B. Güç tüketimi P D , ≤ 10'lar arası birleşme ısısına direnç kullanarak T J (MAX) = 150 ° C'ye dayanmaktadır. Tekrarlamalı derecelendirme, darbe genişliği T J (MAX) = 150 ° C birleşme sıcaklığıyla sınırlandırılmış. Değerler, başlangıç J = 25 ° C'yi korumak için düşük frekans ve görev çevrimlerine dayanır.
D. R θ JA , bağlantı noktasından kurşun R θ JL'ye ve ortama giden termal engelin toplamıdır.
E. Şekil 1 ila 6'daki statik özellikler, <300µs darbeleri, görev döngüsü% 0.5 maks.
F. Bu eğriler, 1 in 2 FR-4 kart üzerine 2oz ile monte edilmiş cihaz ile ölçülen birleşme-ortam termal empedansına dayanmaktadır. Bakır, T J (MAX) = 150 ° C maksimum kavşak sıcaklığını varsayarsak. SOA eğrisi, tek bir nabız artışı sağlar g.
N Kanal: TİPİK ELEKTRİK VE TERMAL ÖZELLİKLER
İlgili kişi: David
