Ana sayfa ÜrünlerTip Güç Transistörleri

3DD13003 NPN Transistör Devresi, NPN Güç Transistör Toplayıcı Verici Gerilim 400 V

Sertifika
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Müşteri yorumları
Hua Xuan Yang ile işbirliğimiz, büyük ölçüde profesyonelliklerinden, ihtiyaç duyduğumuz ürünlerin özelleştirilmesine, tüm ihtiyaçlarımızın çözülmesine ve hepsinden önemlisi kaliteli hizmet sunmalarına bağlı olmaları.

—— —— Kanada'dan Jason

Arkadaşımın tavsiyesi üzerine, yarı iletken ve elektronik bileşenler sektöründe kıdemli bir uzman olan Hua Xuan Yang'ı biliyoruz;

—— —— Rusya'dan Виктор

Ben sohbet şimdi

3DD13003 NPN Transistör Devresi, NPN Güç Transistör Toplayıcı Verici Gerilim 400 V

3DD13003 NPN Transistör Devresi, NPN Güç Transistör Toplayıcı Verici Gerilim 400 V
3DD13003 NPN Transistör Devresi, NPN Güç Transistör Toplayıcı Verici Gerilim 400 V

Büyük resim :  3DD13003 NPN Transistör Devresi, NPN Güç Transistör Toplayıcı Verici Gerilim 400 V

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Shenzhen, Çin
Marka adı: Hua Xuan Yang
Sertifika: RoHS、SGS
Model numarası: 3DD13003
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: 1000-2000 PCS
Fiyat: Negotiated
Ambalaj bilgileri: kutulu
Teslim süresi: 1 - 2 hafta
Ödeme koşulları: L / CT / T Batı Birliği
Yetenek temini: 18.000.000 ADET / Günde

3DD13003 NPN Transistör Devresi, NPN Güç Transistör Toplayıcı Verici Gerilim 400 V

Açıklama
Kollektör-Baz Gerilimi: 700V Toplayıcı-emetör gerilimi: 400v
Kollektör Akımı-Sürekli: 1.5A Ürün adı: yarı iletken triyot tipi
Kollektör Güç Tüketimi: 2W Türü: Triyot Transistör
Vurgulamak:

İpucu pnp transistör

,

yüksek güç pnp transistörü

TO-220-3L Plastik Kapsüllü Transistörler 3DD13003 TRANSİSTÖRÜ (NPN)

ÖZELLİK

· Güç değiştirme uygulamaları

 

MAKSİMUM DEĞERLENDİRMELERİ ( Aksi belirtilmedikçe T = 25 Š )

sembol Parametre değer birim
V CBO Kollektör-Baz Gerilimi 700 V
V CEO Kollektör-Verici Gerilimi 400 V
V EBO Verici-Baz Gerilimi 9 V
Ben c Kollektör Akımı-Sürekli 1.5 bir
P C Kollektör Güç Tüketimi 2 W
T J Birleşme sıcaklığı 150
T stg Depolama sıcaklığı -55 ~ 150


ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

Aksi belirtilmediği sürece T = 25 Š


Aksi belirtilmediği sürece T = 25 Š

Parametre

sembol

S ymbol

Test koşulları Min Typ maksimum birim
Kollektör-baz arıza gerilimi V (BR) CBO I C = 5mA, I E = 0 700 V
Kollektör-vericisi arıza gerilimi V (BR) Genel I C = 10mA, I B = 0 400 V
Verici-baz arıza gerilimi V (BR) EBO I E = 2mA, I C = 0 9 V
Kolektör kesme akımı ICBO V CB = 700 V, I E = 0 1 mA
Kolektör kesme akımı ICEO V CE = 400V, İB = 0 0.5 mA
Yayıcı kesme akımı IEBO V EB = 9 V, I C = 0 1 mA

DC akım kazancı

hfe1 V CE = 5V, I C = 0,5 A 8 40
hFE2 V CE = 5 V, I C = 1,5 A 5
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi VCE (SAT) I C = İA, İB = 0.25A 0.6 V
Baz yayıcı doyma gerilimi Vbe (doymuş) I C = İA, İB = 0.25A 1.2 V
Geçiş frekansı f T V CE = 10V, Ic = 100mA, f = 1MHz 5 MHz
Düşme zamanı t f I C = 1A, I B1 = -I B2 = 0.2A, V CC = 100V 0.5 us
Depolama zamanı ts I C = 250mA (UI9600) 2 4 us

HFE1İN SINIFLANDIRILMASI

menzil 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

TS SINIFLANDIRMASI

rütbe A1 A2 B1 B2
menzil 2-2.5 ()s) 2,5-3 (s) 3-3.5 ()s) 3.5-4 (μs


TO-92 Paket Anahat Boyutları

sembol Milimetre Olarak Boyutlar İnç olarak Boyutlar
Min maksimum Min maksimum
bir 4,470 4.670 0.176 0.184
A1 2,520 2,820 0.099 0.111
b 0.710 0.910 0.028 0.036
b1 1,170 1,370 0.046 0.054
c 0.310 0.530 0.012 0.021
c1 1,170 1,370 0.046 0.054
D 10,010 10,310 0.394 0.406
E 8.500 8,900 0.335 0.350
E1 12,060 12,460 0.475 0.491
e 2.540 TYP 0.100 TYP
e1 4,980 5,180 0.196 0.204
F 2,590 2,890 0.102 0.114
h 0,000 0.300 0,000 0.012
L 13,400 13,800 0.528 0.543
L1 3,560 3,960 0.140 0.156
Φ 3,735 3,935 0.147 0.155



İletişim bilgileri
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

İlgili kişi: David

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)

Mesaj bırakın

Sizi yakında arayacağız!