Ana sayfa ÜrünlerTip Güç Transistörleri

3DD13002B Yüksek Güç Transistörü Devresi VCEO 400V Düşük Doyma Voltajı

Sertifika
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Müşteri yorumları
Hua Xuan Yang ile işbirliğimiz, büyük ölçüde profesyonelliklerinden, ihtiyaç duyduğumuz ürünlerin özelleştirilmesine, tüm ihtiyaçlarımızın çözülmesine ve hepsinden önemlisi kaliteli hizmet sunmalarına bağlı olmaları.

—— —— Kanada'dan Jason

Arkadaşımın tavsiyesi üzerine, yarı iletken ve elektronik bileşenler sektöründe kıdemli bir uzman olan Hua Xuan Yang'ı biliyoruz;

—— —— Rusya'dan Виктор

Ben sohbet şimdi

3DD13002B Yüksek Güç Transistörü Devresi VCEO 400V Düşük Doyma Voltajı

3DD13002B Yüksek Güç Transistörü Devresi VCEO 400V Düşük Doyma Voltajı
3DD13002B Yüksek Güç Transistörü Devresi VCEO 400V Düşük Doyma Voltajı

Büyük resim :  3DD13002B Yüksek Güç Transistörü Devresi VCEO 400V Düşük Doyma Voltajı

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Shenzhen, Çin
Marka adı: Hua Xuan Yang
Sertifika: RoHS、SGS
Model numarası: 3DD13002B
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: 1000-2000 PCS
Fiyat: Negotiated
Ambalaj bilgileri: kutulu
Teslim süresi: 1 - 2 hafta
Ödeme koşulları: L / CT / T Batı Birliği
Yetenek temini: 18.000.000 ADET / Günde

3DD13002B Yüksek Güç Transistörü Devresi VCEO 400V Düşük Doyma Voltajı

Açıklama
VCBO: 600V VCEO: 400v
Kollektör-Baz Gerilimi: 6V Ürün adı: yarı iletken triyot tipi
Güç Mosfet transistörü: TO-92 Plastik Kapsüllü Türü: Triyot Transistör
Vurgulamak:

uç serisi transistörler

,

yüksek güç pnp transistör

TO-92 Plastik Kapsüllü Transistörler 3DD13002B TRANSİSTÖRÜ (NPN)

ÖZELLİK

Güç Anahtarlama Uygulamaları

İŞARETLEME

13002B = Cihaz kodu

Katı nokta = Yeşil kalıp bileşik cihaz, eğer değilse, normal cihaz

XXX = Kod

SİPARİŞ BİLGİLERİ

Parça numarası paket Paketleme metodu Paket Miktarı
3DD13002B TO-92 yığın 1000pcs / Çanta
3DD13002B-TA TO-92 bant 2000pcs / Kutu


MAKSİMUM DEĞERLENDİRMELERİ ( Aksi belirtilmedikçe T = 25 Š )

sembol Parametre değer birim
V CBO Kollektör-Baz Gerilimi 600 V
V CEO Kollektör-Verici Gerilimi 400 V
V EBO Verici-Baz Gerilimi 6 V
Ben c Kollektör Akımı-Sürekli 0.8 bir
P C Kollektör Güç Tüketimi 0.9 W
T J Birleşme sıcaklığı 150
T stg Depolama sıcaklığı -55 ~ 150


ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

Aksi belirtilmediği sürece T = 25 Š


Parametre

sembol Test koşulları Min Typ maksimum

birim

Kollektör-baz arıza gerilimi V (BR) CBO I C = 100μA, I E = 0 600 V
Kollektör-vericisi arıza gerilimi V (BR) Genel I C = 1mA, I B = 0 400 V
Verici-baz arıza gerilimi V (BR) EBO I E = 100μA, I C = 0 6 V

Kolektör kesme akımı

ICBO V CB = 600V, I E = 0 100 uA
ICEO V CE = 400V, İB = 0 100 uA
Yayıcı kesme akımı IEBO V EB = 6 V, I C = 0 100 uA

Dc c şimdiki kazanç

hfe1 V CE = 10 V, I C = 200mA 9 40
hFE2 V CE = 10 V, I C = 0,25mA 5
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi VCE (SAT) I C = 200mA, I B = 40mA 0.5 V
Baz yayıcı doyma gerilimi Vbe (doymuş) I C = 200mA, I B = 40mA 1.1 V

Geçiş frekansı

f T

V CE = 10V, IC = 100mA

f = 1MHz

5

MHz

Düşme zamanı t f

I C = 1A, I B1 = -I B2 = 0.2AV CC = 100V

0.5 us
Depolama zamanı t s 2.5 us


H FE SINIFLANDIRMASI (2)

menzil 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

Tipik özellikleri

TO-92 Paket Anahat Boyutları

sembol Milimetre Olarak Boyutlar İnç olarak Boyutlar
Min maksimum Min maksimum
bir 3,300 3,700 0.130 0.146
A1 1.100 1.400 0.043 0.055
b 0.380 0.550 0.015 0.022
c 0.360 0.510 0.014 0.020
D 4,300 4,700 0.169 0.185
D1 3,430 0.135
E 4,300 4,700 0.169 0.185
e 1.270 TYP 0.050 TYP
e1 2,440 2,640 0.096 0.104
L 14,100 14,500 0.555 0.571
Φ 1.600 0.063
h 0,000 0.380 0,000 0.015

İletişim bilgileri
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

İlgili kişi: David

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)

Mesaj bırakın

Sizi yakında arayacağız!