Ürün ayrıntıları:
|
Ürün adı: | MOSFET güç transistör | Modeli: | AP10N10DY |
---|---|---|---|
Paketi: | TO-252-3 | İşaretleme: | AP10N10D XXX YYYY |
VDSDrain-Kaynak Gerilimi: | 1107 | VGSGate-Souce Gerilim: | ± 20A |
Vurgulamak: | n kanal mosfet transistör,yüksek gerilim transistör |
Anahtarlama Güç Kaynakları için 10A 100V Mosfet Güç Transistörü AP10N10DY
Mosfet Güç Transistörü Açıklama:
AP10N10D / Y gelişmiş hendek teknolojisi kullanır ve
düşük geçit şarjı ile mükemmel RDS (ON) sağlamak için tasarım.
Çok çeşitli uygulamalarda kullanılabilir.
Mosfet Güç Transistörü Özellikleri
VDS = 100V, ID = 10A
RDS (AÇIK) <160mΩ @ VGS = 10V (Tip: 140mΩ)
RDS (AÇIK) VGS'de <170mΩ = 4.5V (Tip: 160mΩ)
Ultra düşük Rdson için yüksek yoğunluklu hücre tasarımı
Tamamen karakterize çığ gerilimi ve akımı
İyi ısı dağılımı için mükemmel paket
Mosfet Güç Transistörü Uygulaması
Güç anahtarlama uygulaması
Sert anahtarlamalı ve yüksek frekanslı devreler
Kesintisiz güç kaynağı
Paket İşaretleme ve Sipariş Bilgileri
Ürün Kimliği | paket | İşaretleme | Miktar (PCS) |
AP10N10D | TO-252-3 | AP10N10D XXX YYYY | 2500 |
AP10N10Y | TO-251-3 | AP10N10Y XXX YYYY | 4000 |
Mutlak Maksimum Değerler ( aksi belirtilmedikçe T A = 25 ℃ )
Parametre | sembol | limit | birim |
Drenaj-Kaynak Gerilimi | VDS | 100 | V |
Kapı Kaynak Gerilimi | VGS | ± 20 | V |
Drenaj Akımı - Sürekli | İD | 10 | bir |
Akım Darbeli Tahliye (Not 1) | IDM | 20 | bir |
Maksimum Güç Tüketimi | PD | 40 | W |
Çalışma Buatı ve Depolama Sıcaklığı Aralığı | TJ, Tstg | -55 ila 175 | ℃ |
Termal Direnç, Kasaya Bağlantı (Not 2) | RθJC | 3.75 | ℃ / W |
Elektriksel Özellikler ( aksi belirtilmedikçe T A = 25 ℃ )
Parametre | sembol | Şart | Min | Typ | maksimum | birim |
Boşaltma Kaynağı Arıza Gerilimi | BVDSS | VGS = 0V ID = 250μA | 100 | - | - | V |
Sıfır Kapı Gerilim Drenaj Akımı | IDS | VDS = 100V, VGS = 0 V | - | - | 1 | uA |
Kapı-Kaçak Akım | IGSS | VGS = ± 12 V, VDS = 0 V | - | - | ± 100 | nA |
Kapı Eşik Voltajı | VGS (th) | VDS = VGS, ID = 250 μA | 1.0 | 2.5 | V | |
Drenaj Kaynaklı Durum Direnci | RDS (ON) | VGS = 10V, ID = 3A | - | 140 | 160 | MO'luk |
VGS = 4,5V, ID = 3A | - | 160 | 170 | |||
İleri İletkenlik | GFS | VDS = 5V, J = 3A | - | 5 | - | S |
Giriş Kapasitesi | CLSS | VDS = 50V, VGS = 0V, F = 1.0MHz | - | 650 | - | PF |
Çıkış Kapasitesi | Coss | - | 25 | - | PF | |
Ters Transfer Kapasitesi | CRS'ler | - | 20 | - | PF | |
Açılma Gecikme Süresi | td (açık) | - | 6 | - | n S | |
Açılma Yükselme Süresi | r t | - | 4 | - | n S | |
Kapanma Gecikme Süresi | td (kapalı) | - | 20 | - | n S | |
Kapanış Düşme Zamanı | f t | - | 4 | - | n S | |
Toplam Kapı Ücreti | Qg | VDS = 50V, J = 3A, | - | 20.6 | nC | |
Kapı Kaynağı Ücreti | QGS | - | 2.1 | - | nC | |
Kapı Tahliye Ücreti | Qgd | - | 3.3 | - | nC | |
Diyot İleri Gerilimi (Not 3) | VSD | VGS = 0 V, IS = 3A | - | - | 1.2 | V |
Diyot İleri Akımı (Not 2) | S ben | - | - | 7 | bir |
Parametre | sembol | Şart | Min | Typ | maksimum | birim |
Boşaltma Kaynağı Arıza Gerilimi | BVDSS | VGS = 0V ID = 250μA | 100 | - | - | V |
Sıfır Kapı Gerilim Drenaj Akımı | IDS | VDS = 100V, VGS = 0 V | - | - | 1 | uA |
Kapı-Kaçak Akım | IGSS | VGS = ± 12 V, VDS = 0 V | - | - | ± 100 | nA |
Kapı Eşik Voltajı | VGS (th) | VDS = VGS, ID = 250 μA | 1.0 | 2.5 | V | |
Drenaj Kaynaklı Durum Direnci | RDS (ON) | VGS = 10V, ID = 3A | - | 140 | 160 | MO'luk |
VGS = 4,5V, ID = 3A | - | 160 | 170 | |||
İleri İletkenlik | GFS | VDS = 5V, J = 3A | - | 5 | - | S |
Giriş Kapasitesi | CLSS | VDS = 50V, VGS = 0V, F = 1.0MHz | - | 650 | - | PF |
Çıkış Kapasitesi | Coss | - | 25 | - | PF | |
Ters Transfer Kapasitesi | CRS'ler | - | 20 | - | PF | |
Açılma Gecikme Süresi | td (açık) | VDD = 50V, RL = 19Ω VGS = 10 V, RG = 3Ω | - | 6 | - | n S |
Açılma Yükselme Süresi | r t | - | 4 | - | n S | |
Kapanma Gecikme Süresi | td (kapalı) | - | 20 | - | n S | |
Kapanış Düşme Zamanı | f t | - | 4 | - | n S | |
Toplam Kapı Ücreti | Qg | VDS = 50V, J = 3A, | - | 20.6 | nC | |
Kapı Kaynağı Ücreti | QGS | - | 2.1 | - | nC | |
Kapı Tahliye Ücreti | Qgd | - | 3.3 | - | nC | |
Diyot İleri Gerilimi (Not 3) | VSD | VGS = 0V, IS = 3A VGS = 10V | - | - | 1.2 | V |
Diyot İleri Akımı (Not 2) | S ben | - | - | 7 | bir |
Notlar:
1. Tekrarlayan Derecelendirme: Maksimum bağlantı sıcaklığı ile sınırlı darbe genişliği.
2. FR4 Kartına Monte Edilen Yüzey, t ≤ 10 sn.
3. Darbe Testi: Darbe Genişliği ≤ 300μs, Görev Döngüsü ≤% 2.
4. tasarım tarafından Garantili, üretime tabi değil
Dikkat
1, Burada açıklanan veya içerilen herhangi bir APM Mikroelektronik ürün, yaşam destek sistemleri, uçak kontrol sistemleri veya arızasının makul bir şekilde sonuçlanması beklenen diğer uygulamalar gibi son derece yüksek güvenilirlik gerektiren uygulamaları işleyebilecek özelliklere sahip değildir. ciddi fiziksel ve / veya maddi hasar. Bu tür uygulamalarda burada açıklanan veya içerilen APM Mikroelektronik ürünlerini kullanmadan önce size en yakın APM Mikroelektronik temsilcinize danışın.
2, APM Mikroelektronik, APM Mikroelektronik ürünlerinin herhangi bir ve tüm ürün özelliklerinde listelenen nominal değerleri (maksimum derecelendirme, çalışma koşulu aralıkları veya diğer parametreler gibi) aşan değerlerde ürünlerin kullanılmasından kaynaklanan ekipman arızaları için hiçbir sorumluluk kabul etmez. burada tarif edilmiş veya kapsanmıştır.
3, Burada açıklanan veya içerilen tüm APM Mikroelektronik ürünlerinin özellikleri, tarif edilen ürünlerin performansını, özelliklerini ve işlevlerini bağımsız durumda tanımlar ve monte edildiği gibi tarif edilen ürünlerin performans, karakteristikleri ve işlevlerinin garantisi değildir müşterinin ürün veya ekipmanları. Bağımsız bir cihazda değerlendirilemeyen semptomları ve durumları doğrulamak için, müşteri daima müşterinin ürünlerine veya ekipmanına monte edilmiş cihazları değerlendirmeli ve test etmelidir.
4, APM Mikroelektronik Yarıiletken CO., LTD. yüksek kaliteli yüksek güvenilirlik ürünleri tedarik için çalışıyoruz. Ancak, tüm yarı iletken ürünler bir olasılıkla başarısız olur. Bu olasılıklı başarısızlıkların, insan hayatını tehlikeye atabilecek veya duman veya yangına yol açabilecek veya diğer mülklere zarar verebilecek kazalara veya olaylara yol açması mümkündür. Ekipmanı yeniden tasarlarken, bu tür kazaların veya olayların meydana gelmemesi için güvenlik önlemleri alın. Bu tür önlemler arasında, bunlarla sınırlı olmamak üzere, güvenli tasarım, yedekli tasarım ve yapısal tasarım için koruyucu devreler ve hata önleme devreleri bulunur.
5, Burada açıklanan veya burada yer alan APM Mikroelektronik ürünlerinin (teknik veriler, hizmetler dahil) herhangi bir veya tümünün geçerli yerel ihracat kontrol yasaları ve yönetmelikleri kapsamında kontrol edilmesi durumunda, bu ürünler yetkililerden ihracat lisansı alınmadan ihraç edilmemelidir Yukarıdaki yasaya uygun olarak.
6, Bu yayının hiçbir kısmı, APM Mikroelektronik Yarı İletken CO'nun önceden yazılı izni olmadan, herhangi bir biçimde veya elektronik veya mekanik, fotokopi ve kayıt dahil olmak üzere veya herhangi bir bilgi depolama veya geri alma sistemi veya başka bir şekilde çoğaltılamaz veya iletilemez. ., LTD.
7, buradaki bilgiler (devre şemaları ve devre parametreleri dahil) sadece örnek içindir; seri üretim için garanti edilmez. APM Mikroelektronik, buradaki bilgilerin doğru ve güvenilir olduğuna inanmaktadır, ancak kullanımı veya fikri mülkiyet haklarının veya üçüncü tarafların diğer haklarının ihlali konusunda hiçbir garanti verilmez veya ima edilmez.
8, Burada açıklanan veya içerilen tüm bilgiler, ürün / teknoloji iyileştirmesi vb. Nedeniyle bildirimde bulunulmaksızın değiştirilebilir. Ekipman tasarlarken, kullanmayı planladığınız APM Mikroelektronik ürünü için "Teslimat Spesifikasyonu" na bakın.
İlgili kişi: David