Ana sayfa ÜrünlerTip Güç Transistörleri

3DD13005 Npn Transistör Anahtarı Verici Baz Gerilim 9 V Yüksek Verimlilik

Sertifika
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Müşteri yorumları
Hua Xuan Yang ile işbirliğimiz, büyük ölçüde profesyonelliklerinden, ihtiyaç duyduğumuz ürünlerin özelleştirilmesine, tüm ihtiyaçlarımızın çözülmesine ve hepsinden önemlisi kaliteli hizmet sunmalarına bağlı olmaları.

—— —— Kanada'dan Jason

Arkadaşımın tavsiyesi üzerine, yarı iletken ve elektronik bileşenler sektöründe kıdemli bir uzman olan Hua Xuan Yang'ı biliyoruz;

—— —— Rusya'dan Виктор

Ben sohbet şimdi

3DD13005 Npn Transistör Anahtarı Verici Baz Gerilim 9 V Yüksek Verimlilik

3DD13005 Npn Transistör Anahtarı Verici Baz Gerilim 9 V Yüksek Verimlilik
3DD13005 Npn Transistör Anahtarı Verici Baz Gerilim 9 V Yüksek Verimlilik

Büyük resim :  3DD13005 Npn Transistör Anahtarı Verici Baz Gerilim 9 V Yüksek Verimlilik

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Shenzhen, Çin
Marka adı: Hua Xuan Yang
Sertifika: RoHS、SGS
Model numarası: 3DD13005
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: 1000-2000 PCS
Fiyat: Negotiated
Ambalaj bilgileri: kutulu
Teslim süresi: 1 - 2 hafta
Ödeme koşulları: L / CT / T Batı Birliği
Yetenek temini: 18.000.000 ADET / Günde

3DD13005 Npn Transistör Anahtarı Verici Baz Gerilim 9 V Yüksek Verimlilik

Açıklama
Kollektör-Baz Gerilimi: 700V Kavşak Sıcaklık: 150 ℃
Verici-Baz Gerilimi: 9V Ürün adı: yarı iletken triyot tipi
Kollektör Dağılımı: 1.25W Türü: Triyot Transistör
Vurgulamak:

İpucu pnp transistör

,

yüksek güç pnp transistörü

TO-263-3L Plastik Kapsüllü Transistörler 3DD13005 TRANSİSTÖR (NPN)

ÖZELLİK

Güç Anahtarlama Uygulamaları

MAKSİMUM DEĞERLENDİRMELERİ ( Aksi belirtilmedikçe T = 25 Š )

sembol Parametre değer birim
V CBO Kollektör-Baz Gerilimi 700 V
V CEO Kollektör-Verici Gerilimi 400 V
V EBO Verici-Baz Gerilimi 9 V
Ben c Kollektör Akımı-Sürekli 1.5 bir
P C Kollektör Dağılımı 1.25 W
T J , T stg Kavşak ve Depolama Sıcaklığı -55 ~ 150


ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

Aksi belirtilmediği sürece T = 25 Š


Aksi belirtilmediği sürece T = 25 Š

Parametre sembol Test koşulları Min Typ maksimum birim
Kollektör-baz arıza gerilimi V (BR) CBO Ic = 1mA, IE = 0 700 V
Kollektör-vericisi arıza gerilimi V (BR) Genel Ic = 10 mA, IB = 0 400 V
Verici-baz arıza gerilimi V (BR) EBO I E = 1mA, I C = 0 9 V
Kolektör kesme akımı ICBO V CB = 700 V, I E = 0 1 mA
Kolektör kesme akımı ICEO V CE = 400V, İB = 0 0.5 mA
Yayıcı kesme akımı IEBO V EB = 9 V, I C = 0 1 mA

DC akım kazancı

hFE (1) V CE = 5 V, I C = 0,5 A 8 40
hFE (2) V CE = 5 V, I C = 1,5 A 5
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi VCE (SAT) IC = 1A, IB = 250 mA 0.6 V
Baz yayıcı doyma gerilimi Vbe (doymuş) IC = 1A, IB = 250mA 1.2 V
Baz yayıcı voltajı VBE IE = 2A 3 V

Geçiş frekansı

fT

V CE = 10V, Ic = 100mA

f = 1MHz

5

MHz

Düşme zamanı tf I C = 1A, I B1 = -I B2 = 0.2A VCC = 100V 0.5 us
Depolama zamanı t s IC = 250mA 2 4 us

HFE1İN SINIFLANDIRILMASI

rütbe
menzil 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

TS SINIFLANDIRMASI

rütbe A1 A2 B1 B2
menzil 2-2.5 ()s) 2,5-3 (s) 3-3.5 ()s) 3.5-4 ()s)

TO-92 Paket Anahat Boyutları

sembol Milimetre Olarak Boyutlar İnç olarak Boyutlar
Min. Maks. Min. Maks.
bir 4,470 4.670 0.176 0.184
A1 0,000 0.150 0,000 0.006
B 1,120 1,420 0.044 0.056
b 0.710 0.910 0.028 0.036
b1 1,170 1,370 0.046 0.054
c 0.310 0.530 0.012 0.021
c1 1,170 1,370 0.046 0.054
D 10,010 10,310 0.394 0.406
E 8.500 8,900 0.335 0.350
e 2.540 TYP. 0.100 TYP.
e1 4,980 5,180 0.196 0.204
L 14,940 15,500 0.588 0.610
L1 4,950 5,450 0.195 0.215
L2 2,340 2,740 0.092 0.108
Φ 0 ° 8 ° 0 ° 8 °
V 5.600 REF. 0.220 REF.



İletişim bilgileri
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

İlgili kişi: David

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)

Mesaj bırakın

Sizi yakında arayacağız!