Ana sayfa ÜrünlerTip Güç Transistörleri

B772 Yüksek Güçlü PNP Transistör Anahtarı, Tip PNP Transistör Devresi

Sertifika
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Müşteri yorumları
Hua Xuan Yang ile işbirliğimiz, büyük ölçüde profesyonelliklerinden, ihtiyaç duyduğumuz ürünlerin özelleştirilmesine, tüm ihtiyaçlarımızın çözülmesine ve hepsinden önemlisi kaliteli hizmet sunmalarına bağlı olmaları.

—— —— Kanada'dan Jason

Arkadaşımın tavsiyesi üzerine, yarı iletken ve elektronik bileşenler sektöründe kıdemli bir uzman olan Hua Xuan Yang'ı biliyoruz;

—— —— Rusya'dan Виктор

Ben sohbet şimdi

B772 Yüksek Güçlü PNP Transistör Anahtarı, Tip PNP Transistör Devresi

B772 Yüksek Güçlü PNP Transistör Anahtarı, Tip PNP Transistör Devresi
B772 Yüksek Güçlü PNP Transistör Anahtarı, Tip PNP Transistör Devresi

Büyük resim :  B772 Yüksek Güçlü PNP Transistör Anahtarı, Tip PNP Transistör Devresi

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Shenzhen, Çin
Marka adı: Hua Xuan Yang
Sertifika: RoHS、SGS
Model numarası: B772
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: 1000-2000 PCS
Fiyat: Negotiated
Ambalaj bilgileri: kutulu
Teslim süresi: 1 - 2 hafta
Ödeme koşulları: L / CT / T Batı Birliği
Yetenek temini: 18.000.000 ADET / Günde

B772 Yüksek Güçlü PNP Transistör Anahtarı, Tip PNP Transistör Devresi

Açıklama
Kollektör Güç Tüketimi: 1.25W VCEO: -30V
VEBO: -6V Ürün adı: yarı iletken triyot tipi
TJ: 150℃ Türü: Triyot Transistör
Vurgulamak:

İpucu pnp transistör

,

yüksek güç pnp transistörü

TO-126 Plastik Kapsüllü Transistörler B772 TRANSİSTÖRÜ (PNP)

ÖZELLİK


Düşük Hız Anahtarlama

İŞARETLEME

B772 = Cihaz kodu

Katı nokta = Yeşil kalıp bileşik cihaz, eğer değilse, normal cihaz XX = Kod

SİPARİŞ BİLGİLERİ

Parça numarası paket Paketleme metodu Paket Miktarı
B772 TO-126 yığın 200pcs / Çanta
B772-TU TO-126 Tüp 60pcs / Tüp


MAKSİMUM DEĞERLENDİRMELERİ ( Aksi belirtilmedikçe T = 25 Š )

sembol Parametre değer birim
V CBO Kollektör-Baz Gerilimi -40 V
V CEO Kollektör-Verici Gerilimi -30 V
V EBO Verici-Baz Gerilimi -6 V
Ben c Kollektör Akımı-Sürekli -3 bir
P C Kollektör Güç Tüketimi 1.25 W
R ӨJA Kavşaktan Ortamlara Isıl Direnç 100 ℃ / W
T j Birleşme sıcaklığı 150
T stg Depolama sıcaklığı -55-150


ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

Aksi belirtilmediği sürece T = 25 Š


Parametre sembol Test koşulları Min Typ maksimum birim
Kollektör-baz arıza gerilimi V (BR) CBO I C = -100μA, I E = 0 -40 V
Kollektör-vericisi arıza gerilimi V (BR) Genel I C = -10mA, I B = 0 -30 V
Verici-baz arıza gerilimi V (BR) EBO I E = -100μA, I C = 0 -6 V
Kolektör kesme akımı ICBO V CB = -40V, I E = 0 -1 uA
Kolektör kesme akımı ICEO V CE = -30V, İB = 0 -10 uA
Yayıcı kesme akımı IEBO V EB = -6V, I C = 0 -1 uA
DC akım kazancı hFE V CE = -2V, I C = -1A 60 400
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi VCE (SAT) I C = -2A, I B = -0.2A -0.5 V
Baz yayıcı doyma gerilimi Vbe (doymuş) I C = -2A, I B = -0.2A -1.5 V

Geçiş frekansı

fT

V CE = -5V, I C = -0.1A

f = 10MHz

50

80

MHz


H FE SINIFLANDIRMASI (2)

rütbe R, O Y GR
menzil 60-120 100-200 160-320 200-400


Tipik özellikleri

Paket Anahat Boyutları

sembol Milimetre Olarak Boyutlar İnç olarak Boyutlar
Min maksimum Min maksimum
bir 3,300 3,700 0.130 0.146
A1 1.100 1.400 0.043 0.055
b 0.380 0.550 0.015 0.022
c 0.360 0.510 0.014 0.020
D 4,300 4,700 0.169 0.185
D1 3,430 0.135
E 4,300 4,700 0.169 0.185
e 1.270 TYP 0.050 TYP
e1 2,440 2,640 0.096 0.104
L 14,100 14,500 0.555 0.571
0 1.600 0.063
h 0,000 0.380 0,000 0.015



İletişim bilgileri
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

İlgili kişi: David

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)

Mesaj bırakın

Sizi yakında arayacağız!