Ana sayfa ÜrünlerMOSFET güç transistör

AP10H06S N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Yüksek Frekans

Sertifika
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Müşteri yorumları
Hua Xuan Yang ile işbirliğimiz, büyük ölçüde profesyonelliklerinden, ihtiyaç duyduğumuz ürünlerin özelleştirilmesine, tüm ihtiyaçlarımızın çözülmesine ve hepsinden önemlisi kaliteli hizmet sunmalarına bağlı olmaları.

—— —— Kanada'dan Jason

Arkadaşımın tavsiyesi üzerine, yarı iletken ve elektronik bileşenler sektöründe kıdemli bir uzman olan Hua Xuan Yang'ı biliyoruz;

—— —— Rusya'dan Виктор

Ben sohbet şimdi

AP10H06S N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Yüksek Frekans

AP10H06S N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Yüksek Frekans
AP10H06S N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Yüksek Frekans AP10H06S N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Yüksek Frekans AP10H06S N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Yüksek Frekans

Büyük resim :  AP10H06S N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Yüksek Frekans

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Shenzhen, Çin
Marka adı: Hua Xuan Yang
Sertifika: RoHS、SGS
Model numarası: AP10H06S
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: Anlaşma
Fiyat: Negotiated
Ambalaj bilgileri: Kutulu
Teslim süresi: 1 - 2 hafta
Ödeme koşulları: L / CT / T Western Union
Yetenek temini: Günde 18.000.000 Adet / Gün

AP10H06S N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Yüksek Frekans

Açıklama
Ürün adı: N Kanal Mos Alan Etkili Transistör model: AP10H06S
paket: SOP-8 İşaretleme: AP10H06S
VDSDrain-Kaynak Gerilimi: 60V VGSGate-Sou rce Gerilimi: ± 20A
Vurgulamak:

n kanal mosfet transistör

,

yüksek gerilim transistör

AP10H06S N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Yüksek Frekans

N Kanal Mos Alan Etkili Transistör tipleri

Güç MOSFET'lerinin genel arenasında, farklı üreticiler tarafından geliştirilen ve ele alınan bir dizi spesifik teknoloji vardır. Güç MOSFET'lerinin akımı taşımasını ve güç seviyelerini daha verimli bir şekilde ele almasını sağlayan bir dizi farklı teknik kullanırlar. Daha önce de belirtildiği gibi, genellikle bir tür dikey yapı içerirler

Farklı güç tipi MOSFET farklı özelliklere sahiptir ve bu nedenle belirli uygulamalar için özellikle uygundur.

  • Düzlemsel güç MOSFET: Bu güç MOSFET'in temel biçimidir. Yüksek voltaj değerleri için iyidir, çünkü ON direncine epi-katman direnci hakimdir. Bu yapı genellikle yüksek hücre yoğunluğuna ihtiyaç duyulmadığında kullanılır.
  • VMOS: VMOS güç MOSFET'leri yıllardır mevcuttur. Temel konsept, akımın daha dikey akışını sağlamak için bir V oluk yapısı kullanır, böylece daha düşük AÇIK direnç seviyeleri ve daha iyi anahtarlama özellikleri sağlar. Güç anahtarlaması için kullanılmasına rağmen, yüksek frekanslı küçük RF güç amplifikatörleri için de kullanılabilirler.
  • UMOS: Güç MOSFET'in UMOS sürümü, VMOS FET'e benzer bir koru kullanır. Bununla birlikte, oluğun daha düz bir tabanı vardır ve bazı farklı avantajlar sağlar.
  • HEXFET: Bu güç formu MOSFET, mevcut yeteneği sağlamak için altıgen bir yapı kullanır.
  • TrenchMOS: Yine TrenchMOS gücü MOSFET, daha iyi taşıma kapasitesi ve özellikleri sağlamak için temel silikonda benzer bir temel koru veya hendek kullanır. Özellikle, hendek gücü MOSFET'leri, kanal yoğunlukları ve dolayısıyla düşük ON dirençleri nedeniyle esas olarak 200 voltun üzerindeki voltajlar için kullanılır.

N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Özellikleri

VDS = 60V ID = 10A
RDS (AÇIK) <20mΩ @ VGS = 10V

N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Uygulaması

Akü koruması
Yük şalteri
Kesintisiz güç kaynağı

Paket İşaretleme ve Sipariş Bilgileri

Ürün Kimliği paket İşaretleme Miktar (PCS)
AP10H06S SOP-8 AP10H06S 3000

Mutlak Maksimum Değerler ( aksi belirtilmedikçe TC = 25)

Parametre sembol limit birim
Drenaj-Kaynak Gerilimi VDS 60 V
Kapı Kaynak Gerilimi VGS ± 20 V
Drenaj Akımı - Sürekli İD 10 bir
Drenaj Akımı - Sürekli (TC = 100 ℃) Kimlik (100 ℃) 5.6 bir
Darbeli Drenaj Akımı IDM 32 bir
Maksimum Güç Tüketimi PD 2.1 W
Çalışma Buatı ve Depolama Sıcaklığı Aralığı TJ, T STG -55 ila 150
Termal Direnç, Ortam-Kavşak (Not 2) RθJA 60 ℃ / W

Elektriksel Özellikler ( aksi belirtilmedikçe TC = 25)

Parametre sembol Şart Min Typ maksimum birim
Boşaltma Kaynağı Arıza Gerilimi BV DSS V GS = 0V ID = 250μA 60 - V
Sıfır Kapı Gerilim Drenaj Akımı IDS V DS = 60V, V GS = 0V - - 1 uA
Kapı-Kaçak Akım IGSS V GS = ± 20V, VDS = 0V - - ± 100 nA
Kapı Eşik Voltajı V GS (th) V DS = V GS, ID = 250 μA 1.0 1.6 2.2 V

Drenaj Kaynaklı Durum Direnci

RDS (ON)

V GS = 10V, ID = 8A - 15.6 20 MO'luk
V GS = 4,5V, ID = 8A - 20 28 MO'luk
İleri İletkenlik GFS V DS = 5V, ID = 8A 18 - - S
Giriş Kapasitesi CLSS

V DS = 30V, V GS = 0V, F = 1.0MHz

- 1600 - PF
Çıkış Kapasitesi Coss - 112 - PF
Ters Transfer Kapasitesi CRS'ler - 98 - PF
Açılma Gecikme Süresi td (açık) - 7 - n S
Açılma Yükselme Süresi

r

t

- 5.5 - n S
Kapanma Gecikme Süresi td (kapalı) - 29 - n S
Kapanış Düşme Zamanı

f

t

- 4.5 - n S
Toplam Kapı Ücreti Qg

V DS = 30V, ID = 8A, V GS = 10V

- 38.5 - nC
Kapı Kaynağı Ücreti QGS - 4.7 - nC
Kapı Tahliye Ücreti Qgd - 10.3 - nC
Diyot İleri Gerilimi (Not 3) V SD V GS = 0V, IS = 8A - - 1.2 V
Diyot İleri Akımı (Not 2) DIR-DİR - - - 8 bir
Ters İyileşme Süresi

rr

t

TJ = 25 ° C, EĞER = 8A

di / dt = 100A / μs

- 28 - n S
Ters Kurtarma Ücreti Qrr - 40 - nC
Parametre sembol Şart Min Typ maksimum birim
Boşaltma Kaynağı Arıza Gerilimi BV DSS V GS = 0V ID = 250μA 60 - V
Sıfır Kapı Gerilim Drenaj Akımı IDS V DS = 60V, V GS = 0V - - 1 uA
Kapı-Kaçak Akım IGSS V GS = ± 20V, VDS = 0V - - ± 100 nA
Kapı Eşik Voltajı V GS (th) V DS = V GS, ID = 250 μA 1.0 1.6 2.2 V

Drenaj Kaynaklı Durum Direnci

RDS (ON)

V GS = 10V, ID = 8A - 15.6 20 MO'luk
V GS = 4,5V, ID = 8A - 20 28 MO'luk
İleri İletkenlik GFS V DS = 5V, ID = 8A 18 - - S
Giriş Kapasitesi CLSS

V DS = 30V, V GS = 0V, F = 1.0MHz

- 1600 - PF
Çıkış Kapasitesi Coss - 112 - PF
Ters Transfer Kapasitesi CRS'ler - 98 - PF
Açılma Gecikme Süresi td (açık) - 7 - n S
Açılma Yükselme Süresi

r

t

- 5.5 - n S
Kapanma Gecikme Süresi td (kapalı) - 29 - n S
Kapanış Düşme Zamanı

f

t

- 4.5 - n S
Toplam Kapı Ücreti Qg

V DS = 30V, ID = 8A, V GS = 10V

- 38.5 - nC
Kapı Kaynağı Ücreti QGS - 4.7 - nC
Kapı Tahliye Ücreti Qgd - 10.3 - nC
Diyot İleri Gerilimi (Not 3) V SD V GS = 0V, IS = 8A - - 1.2 V
Diyot İleri Akımı (Not 2) DIR-DİR - - - 8 bir
Ters İyileşme Süresi

rr

t

TJ = 25 ° C, EĞER = 8A

di / dt = 100A / μs

- 28 - n S
Ters Kurtarma Ücreti Qrr - 40 - nC

Not

1. Tekrarlayan Derecelendirme: Maksimum bağlantı sıcaklığı ile sınırlı darbe genişliği.

2. FR4 Kartına Monte Edilen Yüzey, t ≤ 10 sn.

3. Darbe Testi: Darbe Genişliği ≤ 300 μs, Görev Döngüsü%% 2.

4. tasarım tarafından Garantili, üretime tabi değil

Dikkat

1, Burada açıklanan veya içerilen herhangi bir APM Mikroelektronik ürün, yaşam destek sistemleri, uçak kontrol sistemleri veya arızasının makul bir şekilde sonuçlanması beklenen diğer uygulamalar gibi son derece yüksek güvenilirlik gerektiren uygulamaları işleyebilecek özelliklere sahip değildir. ciddi fiziksel ve / veya maddi hasar. Bu tür uygulamalarda burada açıklanan veya içerilen APM Mikroelektronik ürünlerini kullanmadan önce size en yakın APM Mikroelektronik temsilcinize danışın.

2, APM Mikroelektronik, APM Mikroelektronik ürünlerinin herhangi bir ve tüm ürün özelliklerinde listelenen nominal değerleri (maksimum derecelendirme, çalışma koşulu aralıkları veya diğer parametreler gibi) aşan değerlerde ürünlerin kullanılmasından kaynaklanan ekipman arızaları için hiçbir sorumluluk kabul etmez. burada tarif edilmiş veya kapsanmıştır.

3, Burada açıklanan veya içerilen tüm APM Mikroelektronik ürünlerinin özellikleri, tarif edilen ürünlerin performansını, özelliklerini ve işlevlerini bağımsız durumda tanımlar ve monte edildiği gibi tarif edilen ürünlerin performans, karakteristikleri ve işlevlerinin garantisi değildir müşterinin ürün veya ekipmanları. Bağımsız bir cihazda değerlendirilemeyen semptomları ve durumları doğrulamak için, müşteri daima müşterinin ürünlerine veya ekipmanına monte edilmiş cihazları değerlendirmeli ve test etmelidir.

4, APM Mikroelektronik Yarıiletken CO., LTD. yüksek kaliteli yüksek güvenilirlik ürünleri tedarik için çalışıyoruz. Ancak, tüm yarı iletken ürünler bir olasılıkla başarısız olur. Bu olasılıklı başarısızlıkların, insan hayatını tehlikeye atabilecek veya duman veya yangına yol açabilecek veya diğer mülklere zarar verebilecek kazalara veya olaylara yol açması mümkündür. Ekipmanı yeniden tasarlarken, bu tür kazaların veya olayların meydana gelmemesi için güvenlik önlemleri alın. Bu tür önlemler arasında, bunlarla sınırlı olmamak üzere, güvenli tasarım, yedekli tasarım ve yapısal tasarım için koruyucu devreler ve hata önleme devreleri bulunur.

5, Burada açıklanan veya burada yer alan APM Mikroelektronik ürünlerinin (teknik veriler, hizmetler dahil) herhangi bir veya tümünün geçerli yerel ihracat kontrol yasaları ve yönetmelikleri kapsamında kontrol edilmesi durumunda, bu ürünler yetkililerden ihracat lisansı alınmadan ihraç edilmemelidir Yukarıdaki yasaya uygun olarak.

6, Bu yayının hiçbir kısmı, APM Mikroelektronik Yarı İletken CO'nun önceden yazılı izni olmadan, herhangi bir biçimde veya elektronik veya mekanik, fotokopi ve kayıt dahil olmak üzere veya herhangi bir bilgi depolama veya geri alma sistemi veya başka bir şekilde çoğaltılamaz veya iletilemez. ., LTD.

İletişim bilgileri
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

İlgili kişi: David

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)

Mesaj bırakın

Sizi yakında arayacağız!