Ürün ayrıntıları:
|
Ürün adı: | N Kanal Mos Alan Etkili Transistör | model: | AP10H06S |
---|---|---|---|
paket: | SOP-8 | İşaretleme: | AP10H06S |
VDSDrain-Kaynak Gerilimi: | 60V | VGSGate-Sou rce Gerilimi: | ± 20A |
Vurgulamak: | n kanal mosfet transistör,yüksek gerilim transistör |
AP10H06S N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Yüksek Frekans
N Kanal Mos Alan Etkili Transistör tipleri
Güç MOSFET'lerinin genel arenasında, farklı üreticiler tarafından geliştirilen ve ele alınan bir dizi spesifik teknoloji vardır. Güç MOSFET'lerinin akımı taşımasını ve güç seviyelerini daha verimli bir şekilde ele almasını sağlayan bir dizi farklı teknik kullanırlar. Daha önce de belirtildiği gibi, genellikle bir tür dikey yapı içerirler
Farklı güç tipi MOSFET farklı özelliklere sahiptir ve bu nedenle belirli uygulamalar için özellikle uygundur.
N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Özellikleri
VDS = 60V ID = 10A
RDS (AÇIK) <20mΩ @ VGS = 10V
N Kanal Mos Alan Etkili Transistör Uygulaması
Akü koruması
Yük şalteri
Kesintisiz güç kaynağı
Paket İşaretleme ve Sipariş Bilgileri
Ürün Kimliği | paket | İşaretleme | Miktar (PCS) |
AP10H06S | SOP-8 | AP10H06S | 3000 |
Mutlak Maksimum Değerler ( aksi belirtilmedikçe TC = 25 ℃ )
Parametre | sembol | limit | birim |
Drenaj-Kaynak Gerilimi | VDS | 60 | V |
Kapı Kaynak Gerilimi | VGS | ± 20 | V |
Drenaj Akımı - Sürekli | İD | 10 | bir |
Drenaj Akımı - Sürekli (TC = 100 ℃) | Kimlik (100 ℃) | 5.6 | bir |
Darbeli Drenaj Akımı | IDM | 32 | bir |
Maksimum Güç Tüketimi | PD | 2.1 | W |
Çalışma Buatı ve Depolama Sıcaklığı Aralığı | TJ, T STG | -55 ila 150 | ℃ |
Termal Direnç, Ortam-Kavşak (Not 2) | RθJA | 60 | ℃ / W |
Elektriksel Özellikler ( aksi belirtilmedikçe TC = 25 ℃ )
Parametre | sembol | Şart | Min | Typ | maksimum | birim |
Boşaltma Kaynağı Arıza Gerilimi | BV DSS | V GS = 0V ID = 250μA | 60 | - | V | |
Sıfır Kapı Gerilim Drenaj Akımı | IDS | V DS = 60V, V GS = 0V | - | - | 1 | uA |
Kapı-Kaçak Akım | IGSS | V GS = ± 20V, VDS = 0V | - | - | ± 100 | nA |
Kapı Eşik Voltajı | V GS (th) | V DS = V GS, ID = 250 μA | 1.0 | 1.6 | 2.2 | V |
Drenaj Kaynaklı Durum Direnci | RDS (ON) | V GS = 10V, ID = 8A | - | 15.6 | 20 | MO'luk |
V GS = 4,5V, ID = 8A | - | 20 | 28 | MO'luk | ||
İleri İletkenlik | GFS | V DS = 5V, ID = 8A | 18 | - | - | S |
Giriş Kapasitesi | CLSS | V DS = 30V, V GS = 0V, F = 1.0MHz | - | 1600 | - | PF |
Çıkış Kapasitesi | Coss | - | 112 | - | PF | |
Ters Transfer Kapasitesi | CRS'ler | - | 98 | - | PF | |
Açılma Gecikme Süresi | td (açık) | - | 7 | - | n S | |
Açılma Yükselme Süresi | r t | - | 5.5 | - | n S | |
Kapanma Gecikme Süresi | td (kapalı) | - | 29 | - | n S | |
Kapanış Düşme Zamanı | f t | - | 4.5 | - | n S | |
Toplam Kapı Ücreti | Qg | V DS = 30V, ID = 8A, V GS = 10V | - | 38.5 | - | nC |
Kapı Kaynağı Ücreti | QGS | - | 4.7 | - | nC | |
Kapı Tahliye Ücreti | Qgd | - | 10.3 | - | nC | |
Diyot İleri Gerilimi (Not 3) | V SD | V GS = 0V, IS = 8A | - | - | 1.2 | V |
Diyot İleri Akımı (Not 2) | DIR-DİR | - | - | - | 8 | bir |
Ters İyileşme Süresi | rr t | TJ = 25 ° C, EĞER = 8A di / dt = 100A / μs | - | 28 | - | n S |
Ters Kurtarma Ücreti | Qrr | - | 40 | - | nC |
Parametre | sembol | Şart | Min | Typ | maksimum | birim |
Boşaltma Kaynağı Arıza Gerilimi | BV DSS | V GS = 0V ID = 250μA | 60 | - | V | |
Sıfır Kapı Gerilim Drenaj Akımı | IDS | V DS = 60V, V GS = 0V | - | - | 1 | uA |
Kapı-Kaçak Akım | IGSS | V GS = ± 20V, VDS = 0V | - | - | ± 100 | nA |
Kapı Eşik Voltajı | V GS (th) | V DS = V GS, ID = 250 μA | 1.0 | 1.6 | 2.2 | V |
Drenaj Kaynaklı Durum Direnci | RDS (ON) | V GS = 10V, ID = 8A | - | 15.6 | 20 | MO'luk |
V GS = 4,5V, ID = 8A | - | 20 | 28 | MO'luk | ||
İleri İletkenlik | GFS | V DS = 5V, ID = 8A | 18 | - | - | S |
Giriş Kapasitesi | CLSS | V DS = 30V, V GS = 0V, F = 1.0MHz | - | 1600 | - | PF |
Çıkış Kapasitesi | Coss | - | 112 | - | PF | |
Ters Transfer Kapasitesi | CRS'ler | - | 98 | - | PF | |
Açılma Gecikme Süresi | td (açık) | - | 7 | - | n S | |
Açılma Yükselme Süresi | r t | - | 5.5 | - | n S | |
Kapanma Gecikme Süresi | td (kapalı) | - | 29 | - | n S | |
Kapanış Düşme Zamanı | f t | - | 4.5 | - | n S | |
Toplam Kapı Ücreti | Qg | V DS = 30V, ID = 8A, V GS = 10V | - | 38.5 | - | nC |
Kapı Kaynağı Ücreti | QGS | - | 4.7 | - | nC | |
Kapı Tahliye Ücreti | Qgd | - | 10.3 | - | nC | |
Diyot İleri Gerilimi (Not 3) | V SD | V GS = 0V, IS = 8A | - | - | 1.2 | V |
Diyot İleri Akımı (Not 2) | DIR-DİR | - | - | - | 8 | bir |
Ters İyileşme Süresi | rr t | TJ = 25 ° C, EĞER = 8A di / dt = 100A / μs | - | 28 | - | n S |
Ters Kurtarma Ücreti | Qrr | - | 40 | - | nC |
Not
1. Tekrarlayan Derecelendirme: Maksimum bağlantı sıcaklığı ile sınırlı darbe genişliği.
2. FR4 Kartına Monte Edilen Yüzey, t ≤ 10 sn.
3. Darbe Testi: Darbe Genişliği ≤ 300 μs, Görev Döngüsü%% 2.
4. tasarım tarafından Garantili, üretime tabi değil
Dikkat
1, Burada açıklanan veya içerilen herhangi bir APM Mikroelektronik ürün, yaşam destek sistemleri, uçak kontrol sistemleri veya arızasının makul bir şekilde sonuçlanması beklenen diğer uygulamalar gibi son derece yüksek güvenilirlik gerektiren uygulamaları işleyebilecek özelliklere sahip değildir. ciddi fiziksel ve / veya maddi hasar. Bu tür uygulamalarda burada açıklanan veya içerilen APM Mikroelektronik ürünlerini kullanmadan önce size en yakın APM Mikroelektronik temsilcinize danışın.
2, APM Mikroelektronik, APM Mikroelektronik ürünlerinin herhangi bir ve tüm ürün özelliklerinde listelenen nominal değerleri (maksimum derecelendirme, çalışma koşulu aralıkları veya diğer parametreler gibi) aşan değerlerde ürünlerin kullanılmasından kaynaklanan ekipman arızaları için hiçbir sorumluluk kabul etmez. burada tarif edilmiş veya kapsanmıştır.
3, Burada açıklanan veya içerilen tüm APM Mikroelektronik ürünlerinin özellikleri, tarif edilen ürünlerin performansını, özelliklerini ve işlevlerini bağımsız durumda tanımlar ve monte edildiği gibi tarif edilen ürünlerin performans, karakteristikleri ve işlevlerinin garantisi değildir müşterinin ürün veya ekipmanları. Bağımsız bir cihazda değerlendirilemeyen semptomları ve durumları doğrulamak için, müşteri daima müşterinin ürünlerine veya ekipmanına monte edilmiş cihazları değerlendirmeli ve test etmelidir.
4, APM Mikroelektronik Yarıiletken CO., LTD. yüksek kaliteli yüksek güvenilirlik ürünleri tedarik için çalışıyoruz. Ancak, tüm yarı iletken ürünler bir olasılıkla başarısız olur. Bu olasılıklı başarısızlıkların, insan hayatını tehlikeye atabilecek veya duman veya yangına yol açabilecek veya diğer mülklere zarar verebilecek kazalara veya olaylara yol açması mümkündür. Ekipmanı yeniden tasarlarken, bu tür kazaların veya olayların meydana gelmemesi için güvenlik önlemleri alın. Bu tür önlemler arasında, bunlarla sınırlı olmamak üzere, güvenli tasarım, yedekli tasarım ve yapısal tasarım için koruyucu devreler ve hata önleme devreleri bulunur.
5, Burada açıklanan veya burada yer alan APM Mikroelektronik ürünlerinin (teknik veriler, hizmetler dahil) herhangi bir veya tümünün geçerli yerel ihracat kontrol yasaları ve yönetmelikleri kapsamında kontrol edilmesi durumunda, bu ürünler yetkililerden ihracat lisansı alınmadan ihraç edilmemelidir Yukarıdaki yasaya uygun olarak.
6, Bu yayının hiçbir kısmı, APM Mikroelektronik Yarı İletken CO'nun önceden yazılı izni olmadan, herhangi bir biçimde veya elektronik veya mekanik, fotokopi ve kayıt dahil olmak üzere veya herhangi bir bilgi depolama veya geri alma sistemi veya başka bir şekilde çoğaltılamaz veya iletilemez. ., LTD.
İlgili kişi: David