Ana sayfa ÜrünlerMOSFET güç transistör

AP10H03S 10A 30 V SOP-8 Mosfet Güç Transistör Dikey Yapısı

Sertifika
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Müşteri yorumları
Hua Xuan Yang ile işbirliğimiz, büyük ölçüde profesyonelliklerinden, ihtiyaç duyduğumuz ürünlerin özelleştirilmesine, tüm ihtiyaçlarımızın çözülmesine ve hepsinden önemlisi kaliteli hizmet sunmalarına bağlı olmaları.

—— —— Kanada'dan Jason

Arkadaşımın tavsiyesi üzerine, yarı iletken ve elektronik bileşenler sektöründe kıdemli bir uzman olan Hua Xuan Yang'ı biliyoruz;

—— —— Rusya'dan Виктор

Ben sohbet şimdi

AP10H03S 10A 30 V SOP-8 Mosfet Güç Transistör Dikey Yapısı

AP10H03S 10A 30 V SOP-8 Mosfet Güç Transistör Dikey Yapısı
AP10H03S 10A 30 V SOP-8 Mosfet Güç Transistör Dikey Yapısı AP10H03S 10A 30 V SOP-8 Mosfet Güç Transistör Dikey Yapısı AP10H03S 10A 30 V SOP-8 Mosfet Güç Transistör Dikey Yapısı

Büyük resim :  AP10H03S 10A 30 V SOP-8 Mosfet Güç Transistör Dikey Yapısı

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Shenzhen, Çin
Marka adı: Hua Xuan Yang
Sertifika: RoHS、SGS
Model numarası: AP10H03S
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: Anlaşma
Fiyat: Negotiated
Ambalaj bilgileri: Kutulu
Teslim süresi: 1 - 2 hafta
Ödeme koşulları: L / CT / T Western Union
Yetenek temini: Günde 18.000.000 Adet / Gün

AP10H03S 10A 30 V SOP-8 Mosfet Güç Transistör Dikey Yapısı

Açıklama
Ürün adı: MOSFET güç transistör Modeli: AP10H03S
Paketi: SOP-8 İşaretleme: AP10H03S XXX YYYY
VDSDrain-Kaynak Gerilimi: 207 VGSGate-Souce Gerilim: ± 20A
Vurgulamak:

n kanal mosfet transistör

,

yüksek gerilim transistör

AP10H03S 10A 30 V SOP-8 Mosfet Güç Transistör Dikey Yapısı

Mosfet Güç Transistörü Açıklama:

AP10H03S en yüksek performanslı siperdir
Aşırı yüksek hücre yoğunluğuna sahip N-ch MOSFET'ler,
mükemmel RDSON ve kapı şarjı sağlayan
çoğu küçük güç anahtarlama ve
yük anahtarı uygulamaları. RoHS ve
Tam işlev güvenilirliği onaylanmış ürün gereksinimi.

Mosfet Güç Transistörü Özellikleri

VDS = 30V ID = 10A
RDS (AÇIK) <12mΩ @ VGS = 4.5V
RDS (AÇIK) <16.5mΩ @ VGS = 2.5V

Mosfet Güç Transistörü Uygulaması

Akü koruması
Yük şalteri
Kesintisiz güç kaynağı

Paket İşaretleme ve Sipariş Bilgileri

Ürün Kimliği paket İşaretleme Miktar (PCS)
AP10H03S SOP-8 AP10H03S XXX YYYY 3000

Mutlak Maksimum Değerler ( aksi belirtilmedikçe TA = 25 )

sembol Parametre Değerlendirme Birimler
VDS Drenaj-Kaynak Gerilimi 30 V
VGS Kapı Kaynak Gerilimi ± 20 V
İD @ TC = 25 ℃ Sürekli Drenaj Akımı, V GS @ 10V 1 10 bir
TC @ ID = 100 ℃ Sürekli Drenaj Akımı, V GS @ 10V 1 8.2 bir
İD @ ta = 25 ℃ Sürekli Drenaj Akımı, VGS @ 10V1 9.5 bir
İD @ ta = 70 ℃ Sürekli Drenaj Akımı, V GS @ 10V 1 7.6 bir
IDM Darbeli Drenaj Akımı2 75 bir
EAS Tek Darbe Çığ Enerjisi 3 24.2 mJ
IAS Çığ Akımı 22 bir
PD @ TC = 25 ℃ Toplam Güç Tüketimi4 26 W
PD @ TA = 25 ℃ Toplam Güç Tüketimi4 1.67 W
Tstg Depolama Sıcaklığı Aralığı -55 ila 150
TJ Çalışma Buat Sıcaklık Aralığı -55 ila 150
RθJA Termal Direnç Kavşağı-Ortam 1 75 ℃ / W
RθJC Termal Direnç Buatı 1 4.8 ℃ / W

Elektriksel Özellikler ( Aksi belirtilmedikçe T J = 25)

sembol Parametre Koşullar Min. Typ. Maks. birim
BVDSS Boşaltma Kaynağı Arıza Gerilimi VGS = 0V, ID = 250uA 30 --- --- V
△ BVDSS / TJ BVDSS Sıcaklık Katsayısı 25 ℃ referans, ID = 1mA --- 0.023 --- V / ℃
RDS (ON) Statik Drenaj Kaynağı Direnci VGS = 10V, ID = 15A --- --- 12

MO'luk

VGS = 4,5V, ID = 10A --- --- 16.5
VGS (th) Kapı Eşik Voltajı

VGS = VDS, ID = 250uA

1.0 --- 2.5 V
△ VGS (th) VGS (th) Sıcaklık Katsayısı --- -5,08 --- mV / ℃

IDS

Boşaltma Kaynağı Kaçak Akımı

VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃ --- --- 1

uA

VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 55 ℃ --- --- 5
IGSS Kapı Kaynak Kaçak Akımı VGS = ± 20V, V DS = 0V --- --- ± 100 nA
gfs İleri İletkenlik VDS = 5V, ID = 15A --- 24.4 --- S
rg Kapı Direnci VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz --- 1.8 --- Ω
Qg Toplam Kapı Şarjı (4.5V) VDS = 15V, VGS = 4.5V, ID = 12A --- 9.82 ---
QGS Kapı Kaynağı Ücreti --- 2,24 ---
Qgd Kapı Tahliye Ücreti --- 5.54 ---
Td (üzerine) Açılma Gecikme Süresi VDD = 15V, VGS = 10V, RG = 1.5
J = 20A
--- 6.4 ---
Tr Yükselme zamanı --- 39 ---
Td (kapalı) Kapanma Gecikme Süresi --- 21 ---
tf Düşme Zamanı --- 4.7 ---
Ciss Giriş Kapasitesi VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz --- 896 ---
Coss Çıkış Kapasitesi --- 126 ---
CRS'ler Ters Transfer Kapasitesi --- 108 ---
DIR-DİR Sürekli Kaynak Akımı 1,5

VG = VD = 0V, Kuvvet Akımı

--- --- 37 bir
ISM Darbeli Kaynak Akımı2,5 --- --- 75 bir
VSD Diyot İleri Gerilimi 2 VGS = 0V, IS = 1A, TJ = 25 ℃ --- --- 1 V
sembol Parametre Koşullar Min. Typ. Maks. birim
BVDSS Boşaltma Kaynağı Arıza Gerilimi VGS = 0V, ID = 250uA 30 --- --- V
△ BVDSS / TJ BVDSS Sıcaklık Katsayısı 25 ℃ referans, ID = 1mA --- 0.023 --- V / ℃
RDS (ON) Statik Drenaj Kaynağı Direnci VGS = 10V, ID = 15A --- --- 12

MO'luk

VGS = 4,5V, ID = 10A --- --- 16.5
VGS (th) Kapı Eşik Voltajı

VGS = VDS, ID = 250uA

1.0 --- 2.5 V
△ VGS (th) VGS (th) Sıcaklık Katsayısı --- -5,08 --- mV / ℃

IDS

Boşaltma Kaynağı Kaçak Akımı

VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃ --- --- 1

uA

VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 55 ℃ --- --- 5
IGSS Kapı Kaynak Kaçak Akımı VGS = ± 20V, V DS = 0V --- --- ± 100 nA
gfs İleri İletkenlik VDS = 5V, ID = 15A --- 24.4 --- S
rg Kapı Direnci VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz --- 1.8 --- Ω
Qg Toplam Kapı Şarjı (4.5V) --- 9.82 ---
QGS Kapı Kaynağı Ücreti --- 2,24 ---
Qgd Kapı Tahliye Ücreti --- 5.54 ---
Td (üzerine) Açılma Gecikme Süresi --- 6.4 ---
Tr Yükselme zamanı --- 39 ---
Td (kapalı) Kapanma Gecikme Süresi --- 21 ---
tf Düşme Zamanı --- 4.7 ---
Ciss Giriş Kapasitesi --- 896 ---
Coss Çıkış Kapasitesi --- 126 ---
CRS'ler Ters Transfer Kapasitesi --- 108 ---
DIR-DİR Sürekli Kaynak Akımı 1,5

VG = VD = 0V, Kuvvet Akımı

--- --- 37 bir
ISM Darbeli Kaynak Akımı2,5 --- --- 75 bir
VSD Diyot İleri Gerilimi 2 VGS = 0V, IS = 1A, TJ = 25 ℃ --- --- 1 V

Not :

1. 2OZ bakır ile 1 inç FR-4 levha üzerine monte yüzey tarafından test veriler.

2. Darbeli, darbe genişliği ≦ 300us, görev döngüsü ≦% 2 ile test edilen veriler

3. EAS verileri Maks. değerlendirme . Test koşulu VDD = 25V, VGS = 10V, L = 0.1mH, IAS = 22A

4. güç dağılımı 175 ℃ bağlantı sıcaklığı ile sınırlıdır

5. Veriler teorik olarak ID ve IDM ile aynıdır, gerçek uygulamalarda toplam güç kaybı ile sınırlandırılmalıdır.

Dikkat

1, Burada açıklanan veya içerilen herhangi bir APM Mikroelektronik ürün, yaşam destek sistemleri, uçak kontrol sistemleri veya arızasının makul bir şekilde sonuçlanması beklenen diğer uygulamalar gibi son derece yüksek güvenilirlik gerektiren uygulamaları işleyebilecek özelliklere sahip değildir. ciddi fiziksel ve / veya maddi hasar. Bu tür uygulamalarda burada açıklanan veya içerilen APM Mikroelektronik ürünlerini kullanmadan önce size en yakın APM Mikroelektronik temsilcinize danışın.

2, APM Mikroelektronik, APM Mikroelektronik ürünlerinin herhangi bir ve tüm ürün özelliklerinde listelenen nominal değerleri (maksimum derecelendirme, çalışma koşulu aralıkları veya diğer parametreler gibi) aşan değerlerde ürünlerin kullanılmasından kaynaklanan ekipman arızaları için hiçbir sorumluluk kabul etmez. burada tarif edilmiş veya kapsanmıştır.

3, Burada açıklanan veya içerilen tüm APM Mikroelektronik ürünlerinin özellikleri, tarif edilen ürünlerin performansını, özelliklerini ve işlevlerini bağımsız durumda tanımlar ve monte edildiği gibi tarif edilen ürünlerin performans, karakteristikleri ve işlevlerinin garantisi değildir müşterinin ürün veya ekipmanları. Bağımsız bir cihazda değerlendirilemeyen semptomları ve durumları doğrulamak için, müşteri daima müşterinin ürünlerine veya ekipmanına monte edilmiş cihazları değerlendirmeli ve test etmelidir.

4, APM Mikroelektronik Yarıiletken CO., LTD. yüksek kaliteli yüksek güvenilirlik ürünleri tedarik için çalışıyoruz. Ancak, tüm yarı iletken ürünler bir olasılıkla başarısız olur. Bu olasılıklı başarısızlıkların, insan hayatını tehlikeye atabilecek veya duman veya yangına yol açabilecek veya diğer mülklere zarar verebilecek kazalara veya olaylara yol açması mümkündür. Ekipmanı yeniden tasarlarken, bu tür kazaların veya olayların meydana gelmemesi için güvenlik önlemleri alın. Bu tür önlemler arasında, bunlarla sınırlı olmamak üzere, güvenli tasarım, yedekli tasarım ve yapısal tasarım için koruyucu devreler ve hata önleme devreleri bulunur.

5, Burada açıklanan veya burada yer alan APM Mikroelektronik ürünlerinin (teknik veriler, hizmetler dahil) herhangi bir veya tümünün geçerli yerel ihracat kontrol yasaları ve yönetmelikleri kapsamında kontrol edilmesi durumunda, bu ürünler yetkililerden ihracat lisansı alınmadan ihraç edilmemelidir Yukarıdaki yasaya uygun olarak.

6, Bu yayının hiçbir kısmı, APM Mikroelektronik Yarı İletken CO'nun önceden yazılı izni olmadan, herhangi bir biçimde veya elektronik veya mekanik, fotokopi ve kayıt dahil olmak üzere veya herhangi bir bilgi depolama veya geri alma sistemi veya başka bir şekilde çoğaltılamaz veya iletilemez. ., LTD.

7, buradaki bilgiler (devre şemaları ve devre parametreleri dahil) sadece örnek içindir; seri üretim için garanti edilmez. APM Mikroelektronik, buradaki bilgilerin doğru ve güvenilir olduğuna inanmaktadır, ancak kullanımı veya fikri mülkiyet haklarının veya üçüncü tarafların diğer haklarının ihlali konusunda hiçbir garanti verilmez veya ima edilmez.

8, Burada açıklanan veya içerilen tüm bilgiler, ürün / teknoloji iyileştirmesi vb. Nedeniyle bildirimde bulunulmaksızın değiştirilebilir. Ekipman tasarlarken, kullanmayı planladığınız APM Mikroelektronik ürünü için "Teslimat Spesifikasyonu" na bakın.

İletişim bilgileri
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

İlgili kişi: David

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)

Mesaj bırakın

Sizi yakında arayacağız!