|
Ürün ayrıntıları:
|
| Ürün adı: | N Kanal Mosfet Gücü | Modeli: | AP3N10BI |
|---|---|---|---|
| İşaretleme: | MA4 | Paketi: | SOT23 |
| VDSDrain-Kaynak Gerilimi: | 1107 | VGSGate-Souce Gerilim: | ± 20A |
| Vurgulamak: | n kanal mosfet transistör,yüksek gerilim transistör |
||
Geliştirme Modu N Kanal Mosfet Güç Transistörü Düşük Voltaj 100V
N Kanal Mosfet Güç Çalışması ve Özellikleri
MOSFET'in gücünün yapısı, aşağıdaki şekilde görebileceğimiz V konfigürasyonlarındadır. Böylece cihaza V-MOSFET veya V-FET denir. V-güç şekli MOSFET'in cihaz yüzeyinden nüfuz etmek için kesildiği neredeyse N + substratına N +, P ve N-katmanlarına kadar. N + katmanı, düşük dirençli bir malzemeye sahip ağır katkılı tabaka ve N-katmanı, yüksek direnç bölgesine sahip hafif katkılı bir katmandır.
N Kanal Mosfet Güç Özellikleri
VDS = 100V ID = 2,8 A
RDS (AÇIK) <320mΩ @ VGS = 10V
N Kanal Mosfet Güç Uygulaması
Akü koruması
Kesintisiz güç kaynağı
Paket İşaretleme ve Sipariş Bilgileri
| Ürün Kimliği | paket | İşaretleme | Miktar (PCS) |
| AP3N10BI | SOT23 | MA4 | 3000 |
Mutlak Maksimum Değerler ( aksi belirtilmedikçe TC = 25 ℃ )
| sembol | Parametre | Değerlendirme | Birimler |
| VDS | Drenaj-Kaynak Gerilimi | 100 | V |
| VGS | Gate-Sou rce Gerilimi | ± 20 | V |
| İD @ ta = 25 ℃ | Sürekli Drenaj Akımı, V GS @ 10V 1 | 2.8 | bir |
| İD @ ta = 70 ℃ | Sürekli Drenaj Akımı, V GS @ 10V 1 | 1 | bir |
| IDM | Darbeli Drenaj Akımı2 | 5 | bir |
| PD @ TA = 25 ℃ | Toplam Güç Tüketimi3 | 1 | W |
| Tstg | Depolama Sıcaklığı Aralığı | -55 ila 150 | ℃ |
| TJ | Çalışma Buat Sıcaklık Aralığı | -55 ila 150 | ℃ |
| RθJA | Termal Direnç Buat-ortam 1 | 125 | ℃ / W |
| RθJC | Termal Direnç Buatı 1 | 80 | ℃ / W |
Elektriksel Özellikler ( Aksi belirtilmedikçe T J = 25 ℃ )
| sembol | Parametre | Koşullar | Min. | Typ. | Maks. | birim |
| BVDSS | Boşaltma Kaynağı Arıza Gerilimi | VGS = 0V, ID = 250uA | 100 | --- | --- | V |
| △ BVDSS / △ TJ | BVDSS Sıcaklık Katsayısı | 25 ℃ referans, ID = 1mA | --- | 0.067 | --- | V / ℃ |
| RDS (ON) | Statik Drenaj Kaynağı Direnci | VGS = 10V, ID = 1A | --- | 260 | 310 | MO'luk |
| VGS = 4.5V, ID = 0.5A | --- | 270 | 320 | |||
| VGS (th) | Kapı Eşik Voltajı | VGS = VDS, I = 250uA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| △ VGS (th) | VGS (th) Sıcaklık Katsayısı | --- | -4,2 | --- | mV / ℃ | |
| IDS | Boşaltma Kaynağı Kaçak Akımı | VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IDS | Boşaltma Kaynağı Kaçak Akımı | VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 5 | uA |
| IGSS | Kapı Kaynak Kaçak Akımı | VGS = ± 20V, VDS = 0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | İleri İletkenlik | VDS = 5V, ID = 1A | --- | 2.4 | --- | S |
| rg | Kapı Direnci | VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz | --- | 2.8 | 5.6 | |
| Qg | Toplam Kapı Şarjı (10V) | --- | 9.7 | 13.6 | ||
| QGS | Kapı Kaynağı Ücreti | --- | 1.6 | 2.2 | ||
| Qgd | Kapı Tahliye Ücreti | --- | 1.7 | 2.4 | ||
| Td (üzerine) | Açılma Gecikme Süresi | VDD = 50V, VGS = 10V, RG = 3.3 J = 1A | --- | 1.6 | 3.2 | ns |
| Tr | ||||||
| Td (kapalı) | Kapanma Gecikme Süresi | --- | 13.6 | 27 | ||
| tf | Düşme Zamanı | --- | 19 | 38 | ||
| Ciss | Giriş Kapasitesi | --- | 508 | 711 | ||
| Coss | Çıkış Kapasitesi | --- | 29 | 41 | ||
| CRS'ler | Ters Transfer Kapasitesi | --- | 16.4 | 23 | ||
| DIR-DİR | Sürekli Kaynak Akımı 1,4 | VG = VD = 0V, Kuvvet Akımı | --- | --- | 1.2 | bir |
| ISM | Darbeli Kaynak Akımı 2,4 | --- | --- | 5 | bir | |
| VSD | Diyot İleri Gerilimi 2 | VGS = 0V, IS = 1A, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Ters İyileşme Süresi | IF = 1A, dI / dt = 100A / µs, | --- | 14 | --- | n S |
| Qrr | Ters Kurtarma Ücreti | --- | 9.3 | --- | nC |
| sembol | Parametre | Koşullar | Min. | Typ. | Maks. | birim |
| BVDSS | Boşaltma Kaynağı Arıza Gerilimi | VGS = 0V, ID = 250uA | 100 | --- | --- | V |
| △ BVDSS / △ TJ | BVDSS Sıcaklık Katsayısı | 25 ℃ referans, ID = 1mA | --- | 0.067 | --- | V / ℃ |
| RDS (ON) | Statik Drenaj Kaynağı Direnci | VGS = 10V, ID = 1A | --- | 260 | 310 | MO'luk |
| VGS = 4.5V, ID = 0.5A | --- | 270 | 320 | |||
| VGS (th) | Kapı Eşik Voltajı | VGS = VDS, I = 250uA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| △ VGS (th) | VGS (th) Sıcaklık Katsayısı | --- | -4,2 | --- | mV / ℃ | |
| IDS | Boşaltma Kaynağı Kaçak Akımı | VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IDS | Boşaltma Kaynağı Kaçak Akımı | VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 5 | uA |
| IGSS | Kapı Kaynak Kaçak Akımı | VGS = ± 20V, VDS = 0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | İleri İletkenlik | VDS = 5V, ID = 1A | --- | 2.4 | --- | S |
| rg | Kapı Direnci | VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz | --- | 2.8 | 5.6 | |
| Qg | Toplam Kapı Şarjı (10V) | --- | 9.7 | 13.6 | ||
| QGS | Kapı Kaynağı Ücreti | --- | 1.6 | 2.2 | ||
| Qgd | Kapı Tahliye Ücreti | --- | 1.7 | 2.4 | ||
| Td (üzerine) | Açılma Gecikme Süresi | VDD = 50V, VGS = 10V, RG = 3.3 J = 1A | --- | 1.6 | 3.2 | ns |
| Tr | ||||||
| Td (kapalı) | Kapanma Gecikme Süresi | --- | 13.6 | 27 | ||
| tf | Düşme Zamanı | --- | 19 | 38 | ||
| Ciss | Giriş Kapasitesi | --- | 508 | 711 | ||
| Coss | Çıkış Kapasitesi | --- | 29 | 41 | ||
| CRS'ler | Ters Transfer Kapasitesi | --- | 16.4 | 23 | ||
| DIR-DİR | Sürekli Kaynak Akımı 1,4 | VG = VD = 0V, Kuvvet Akımı | --- | --- | 1.2 | bir |
| ISM | Darbeli Kaynak Akımı 2,4 | --- | --- | 5 | bir | |
| VSD | Diyot İleri Gerilimi 2 | VGS = 0V, IS = 1A, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Ters İyileşme Süresi | IF = 1A, dI / dt = 100A / µs, | --- | 14 | --- | n S |
| Qrr | Ters Kurtarma Ücreti | --- | 9.3 | --- | nC |
Not :
1. 2OZ bakır ile 1 inç FR-4 kart üzerine monte yüzey tarafından test veriler. 2. darbe, darbe genişliği ≦ 300us, görev döngüsü ≦% 2 tarafından test edilen veriler
3. güç dağılımı 150 ℃ bağlantı sıcaklığı ile sınırlıdır
4) Gerçek uygulamalarda veriler teorik olarak ID ve IDM ile aynıdır, toplam güç dağılımı ile sınırlandırılmalıdır.
sembol | Milimetre cinsinden boyutlar | |
| MİN. | MAKS. | |
| bir | 0.900 | 1,150 |
| A1 | 0,000 | 0.100 |
| A2 | 0.900 | 1,050 |
| b | 0.300 | 0.500 |
| c | 0.080 | 0.150 |
| D | 2,800 | 3.000 |
| E | 1.200 | 1.400 |
| E1 | 2,250 | 2,550 |
| e | 0.950TYP | |
| e1 | 1.800 | 2.000 |
| L | 0.550REF | |
| L1 | 0.300 | 0.500 |
| θ | 0 ° | 8 ° |
Dikkat
1, Burada açıklanan veya içerilen herhangi bir APM Mikroelektronik ürün, yaşam destek sistemleri, uçak kontrol sistemleri veya arızasının makul bir şekilde sonuçlanması beklenen diğer uygulamalar gibi son derece yüksek güvenilirlik gerektiren uygulamaları işleyebilecek özelliklere sahip değildir. ciddi fiziksel ve / veya maddi hasar. Bu tür uygulamalarda burada açıklanan veya içerilen APM Mikroelektronik ürünlerini kullanmadan önce size en yakın APM Mikroelektronik temsilcinize danışın.
2, APM Mikroelektronik, APM Mikroelektronik ürünlerinin herhangi bir ve tüm ürün özelliklerinde listelenen nominal değerleri (maksimum derecelendirme, çalışma koşulu aralıkları veya diğer parametreler gibi) aşan değerlerde ürünlerin kullanılmasından kaynaklanan ekipman arızaları için hiçbir sorumluluk kabul etmez. burada tarif edilmiş veya kapsanmıştır.
3, Burada açıklanan veya içerilen tüm APM Mikroelektronik ürünlerinin özellikleri, tarif edilen ürünlerin performansını, özelliklerini ve işlevlerini bağımsız durumda tanımlar ve monte edildiği gibi tarif edilen ürünlerin performans, karakteristikleri ve işlevlerinin garantisi değildir müşterinin ürün veya ekipmanları. Bağımsız bir cihazda değerlendirilemeyen semptomları ve durumları doğrulamak için, müşteri daima müşterinin ürünlerine veya ekipmanına monte edilmiş cihazları değerlendirmeli ve test etmelidir.
4, APM Mikroelektronik Yarıiletken CO., LTD. yüksek kaliteli yüksek güvenilirlik ürünleri tedarik için çalışıyoruz. Ancak, tüm yarı iletken ürünler bir olasılıkla başarısız olur. Bu olasılıklı başarısızlıkların, insan hayatını tehlikeye atabilecek veya duman veya yangına yol açabilecek veya diğer mülklere zarar verebilecek kazalara veya olaylara yol açması mümkündür. Ekipmanı yeniden tasarlarken, bu tür kazaların veya olayların meydana gelmemesi için güvenlik önlemleri alın. Bu tür önlemler arasında, bunlarla sınırlı olmamak üzere, güvenli tasarım, yedekli tasarım ve yapısal tasarım için koruyucu devreler ve hata önleme devreleri bulunur.
5, Burada açıklanan veya içerilen APM Mikroelektronik ürünlerinin (teknik veriler, hizmetler dahil) herhangi bir veya tümünün geçerli yerel ihracat kontrol yasaları ve yönetmelikleri kapsamında kontrol edilmesi durumunda, bu ürünler yetkililerden ihracat lisansı alınmadan ihraç edilmemelidir Yukarıdaki yasaya uygun olarak.
6, Bu yayının hiçbir kısmı, APM Mikroelektronik Yarı İletken CO'nun önceden yazılı izni olmadan, herhangi bir biçimde veya elektronik veya mekanik, fotokopi ve kayıt dahil olmak üzere veya herhangi bir bilgi depolama veya geri alma sistemi veya başka bir şekilde çoğaltılamaz veya iletilemez. ., LTD.
7, buradaki bilgiler (devre şemaları ve devre parametreleri dahil) sadece örnek içindir; seri üretim için garanti edilmez. APM Mikroelektronik, buradaki bilgilerin doğru ve güvenilir olduğuna inanmaktadır, ancak kullanımı veya fikri mülkiyet haklarının veya üçüncü tarafların diğer haklarının ihlali konusunda hiçbir garanti verilmez veya ima edilmez.
8, Burada açıklanan veya içerilen tüm bilgiler, ürün / teknoloji iyileştirmesi vb. Nedeniyle bildirimde bulunulmaksızın değiştirilebilir. Ekipman tasarlarken, kullanmayı planladığınız APM Mikroelektronik ürünü için "Teslimat Spesifikasyonu" na bakın.
İlgili kişi: David
