Teklif isteği |
Ana sayfa ÜrünlerMos Alan Etkili Transistör

2N7002 Geliştirme Modu Alan Etkili Transistör VDSS 20v ID 6.0 A

Tüm ürünler

MOSFET güç transistör

(118)

Tip Güç Transistörleri

(30)

Silikon Güç Transistörü

(19)

Çift anahtarlama diyot

(15)

Mos Alan Etkili Transistör

(29)

Çift Kanallı Mosfet

(10)

hızlı kurtarma doğrultucu diyot

(6)

güç zener diyot

(6)

schottky köprü doğrultucu

(10)

yüksek gerilim doğrultucu diyot

(15)

Yarı iletken triyot

(9)

Voltaj sabitleyici ic

(14)
Sertifika
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Müşteri yorumları
Hua Xuan Yang ile işbirliğimiz, büyük ölçüde profesyonelliklerinden, ihtiyaç duyduğumuz ürünlerin özelleştirilmesine, tüm ihtiyaçlarımızın çözülmesine ve hepsinden önemlisi kaliteli hizmet sunmalarına bağlı olmaları.

—— —— Kanada'dan Jason

Arkadaşımın tavsiyesi üzerine, yarı iletken ve elektronik bileşenler sektöründe kıdemli bir uzman olan Hua Xuan Yang'ı biliyoruz;

—— —— Rusya'dan Виктор

Ben sohbet şimdi

2N7002 Geliştirme Modu Alan Etkili Transistör VDSS 20v ID 6.0 A

2N7002 Geliştirme Modu Alan Etkili Transistör VDSS 20v ID 6.0 A
2N7002 Geliştirme Modu Alan Etkili Transistör VDSS 20v ID 6.0 A

Büyük resim :  2N7002 Geliştirme Modu Alan Etkili Transistör VDSS 20v ID 6.0 A

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Shenzhen, Çin
Marka adı: Hua Xuan Yang
Sertifika: RoHS、SGS
Model numarası: 2N7002
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: 1000-2000 PCS
Fiyat: Negotiated
Ambalaj bilgileri: kutulu
Teslim süresi: 1 - 2 hafta
Ödeme koşulları: L / CT / T Batı Birliği
Yetenek temini: 18.000.000 ADET / Günde
İletişim

2N7002 Geliştirme Modu Alan Etkili Transistör VDSS 20v ID 6.0 A

Açıklama
Ürün adı: MOSFET güç transistör Birleşme sıcaklığı:: 150℃
Malzeme: Silikon Model numarası: HXY2312
dava: Bant / Tepsi / Makara Türü: Mosfet Transistör
Vurgulamak:

yüksek akım transistörü

,

mantık mosfet anahtarı

SOT-23 Plastik Kapsüllü MOSFETS 2N7002

ürün özeti

ID = 6.0 A VDSS = 20v
RDS (açık) <32 mΩ VGS = 4.5V
RDS (açık) <40 mΩ VGS = 2,5V
ÖZELLİK
Hendek FET Güç MOSFET
UYGULAMA
DC / DC Çeviriciler
Taşınabilir Uygulamalar için Yük Anahtarlama
Maksimum derecelendirme (Aksi belirtilmedikçe Ta = 25 ℃)
T = 25 a ℃ aksi belirtilmedikçe

Etiket:

mantık mosfet anahtarı,

transistor kullanarak mosfet sürücüsü,

yüksek akım transistörü

İletişim bilgileri
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

İlgili kişi: David

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)

Hakkında

MOSFET güç transistör

HXY4616 Mantık Seviyesi Transistörü, Yüksek Gerilim Transistörü 30V Tamamlayıcı MOSFET

HXY4616 Mosfet Güç Transistörü ± 20 v VGS Yüksek Gerilim VDS 40 V VGS ± 20 v

20G04S 40 V Mosfet Güç Transistörü N + P Kanal Geliştirme Modu MOSFET

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite MOSFET güç transistör Tedarikçi. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Mesaj bırakın

Sizi yakında arayacağız!