Ana sayfa ÜrünlerTip Güç Transistörleri

TO-251-3L Uç Güç Transistörleri B772M PNP VCEO -30V Silikon Malzemesi

Sertifika
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Çin Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikalar
Müşteri yorumları
Hua Xuan Yang ile işbirliğimiz, büyük ölçüde profesyonelliklerinden, ihtiyaç duyduğumuz ürünlerin özelleştirilmesine, tüm ihtiyaçlarımızın çözülmesine ve hepsinden önemlisi kaliteli hizmet sunmalarına bağlı olmaları.

—— —— Kanada'dan Jason

Arkadaşımın tavsiyesi üzerine, yarı iletken ve elektronik bileşenler sektöründe kıdemli bir uzman olan Hua Xuan Yang'ı biliyoruz;

—— —— Rusya'dan Виктор

Ben sohbet şimdi

TO-251-3L Uç Güç Transistörleri B772M PNP VCEO -30V Silikon Malzemesi

TO-251-3L Uç Güç Transistörleri B772M PNP VCEO -30V Silikon Malzemesi
TO-251-3L Uç Güç Transistörleri B772M PNP VCEO -30V Silikon Malzemesi

Büyük resim :  TO-251-3L Uç Güç Transistörleri B772M PNP VCEO -30V Silikon Malzemesi

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Shenzhen, Çin
Marka adı: Hua Xuan Yang
Sertifika: RoHS、SGS
Model numarası: B772M
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: 1000-2000 PCS
Fiyat: Negotiated
Ambalaj bilgileri: kutulu
Teslim süresi: 1 - 2 hafta
Ödeme koşulları: L / CT / T Batı Birliği
Yetenek temini: 18.000.000 ADET / Günde

TO-251-3L Uç Güç Transistörleri B772M PNP VCEO -30V Silikon Malzemesi

Açıklama
VCBO: -40V VCEO: -30V
Saklama sıcaklığı: -55-150 ℃ Güç Mosfet transistörü: TO-251-3L Plastik Kapsülleme
Malzeme: Silikon Türü: Triyot Transistör
Vurgulamak:

uç serisi transistörler

,

yüksek güç pnp transistör

TO-251-3L Plastik Kapsüllü Transistörler B772M TRANSİSTÖRÜ (PNP)

ÖZELLİKLER

Düşük Hız Anahtarlama

MAKSİMUM DEĞERLENDİRMELERİ ( Aksi belirtilmedikçe T = 25 Š )

sembol Parametre değer birim
V CBO Kollektör-Baz Gerilimi -40 V
V CEO Kollektör-Verici Gerilimi -30 V
V EBO Verici-Baz Gerilimi -6 V
Ben c Kollektör Akımı-Sürekli -3 bir
P C Kollektör Güç Tüketimi 1.25 W
R ӨJA Isıl Direnç, Ortam Bağlantısı 100 ℃ / W
T j Birleşme sıcaklığı 150
T stg Depolama sıcaklığı -55-150




ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

Aksi belirtilmediği sürece T = 25 Š

Parametre sembol Test koşulları Min Typ maksimum birim
Kollektör-baz arıza gerilimi V (BR) CBO I C = -100μA, I E = 0 -40 V
Kollektör-vericisi arıza gerilimi V (BR) Genel I C = -10mA, I B = 0 -30 V
Verici-baz arıza gerilimi V (BR) EBO I E = -100μA, I C = 0 -6 V
Kolektör kesme akımı ICBO V CB = -40V, I E = 0 -1 uA
Kolektör kesme akımı ICEO V CE = -30V, İB = 0 -10 uA
Yayıcı kesme akımı IEBO V EB = -6V, I C = 0 -1 uA
DC akım kazancı hFE V CE = -2V, I C = -1A 60 400
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi VCE (SAT) I C = -2A, I B = -0.2A -0.5 V
Baz yayıcı doyma gerilimi Vbe (doymuş) I C = -2A, I B = -0.2A -1.5 V

Geçiş frekansı

fT

V CE = -5V, I C = -0.1A

f = 10MHz

50

80

MHz


H FE SINIFLANDIRMASI (2)

rütbe R, O Y GR
menzil 60-120 100-200 160-320 200-400


Tipik özellikleri


sembol Milimetre Olarak Boyutlar İnç olarak Boyutlar
Min. Maks. Min. Maks.
bir 2,200 2,380 0.087 0.094
A1 0,000 0.100 0,000 0.004
B 0.800 1.400 0.031 0.055
b 0.710 0.810 0.028 0.032
c 0.460 0.560 0.018 0.022
c1 0.460 0.560 0.018 0.022
D 6,500 6,700 0,256 0.264
D1 5.130 5,460 0.202 0.215
E 6.000 6.200 0.236 0.244
e 2.286 TYP. 0.090 TYP.
e1 4,327 4,727 0.170 0.186
M 1.778REF. 0.070REF.
N- 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0.386 0.409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1.400 1.700 0.055 0.067
V 4.830 REF. 0.190 REF.
ben 1.100 1.300 0.043 0.0 ± 1





İletişim bilgileri
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

İlgili kişi: David

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)

Mesaj bırakın

Sizi yakında arayacağız!