Ana sayfa Ürünler Yarı iletken triyot

TIP112 Alan Etkili Transistör, Yüksek Frekans Transistör

Name: TIP112 Alan Etkili Transistör, Yüksek Frekans Transistör
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: TIP112

Tüm ürünler

MOSFET güç transistör
(118)

Tip Güç Transistörleri
(30)

Silikon Güç Transistörü
(19)

Çift anahtarlama diyot
(15)

Mos Alan Etkili Transistör
(29)

Çift Kanallı Mosfet
(10)

hızlı kurtarma doğrultucu diyot
(6)

güç zener diyot
(6)

schottky köprü doğrultucu
(10)

yüksek gerilim doğrultucu diyot
(15)

Yarı iletken triyot
(9)

Voltaj sabitleyici ic
(14)

Sertifika

Müşteri yorumları

Hua Xuan Yang ile işbirliğimiz, büyük ölçüde profesyonelliklerinden, ihtiyaç duyduğumuz ürünlerin özelleştirilmesine, tüm ihtiyaçlarımızın çözülmesine ve hepsinden önemlisi kaliteli hizmet sunmalarına bağlı olmaları.

—— —— Kanada'dan Jason

Arkadaşımın tavsiyesi üzerine, yarı iletken ve elektronik bileşenler sektöründe kıdemli bir uzman olan Hua Xuan Yang'ı biliyoruz;

—— —— Rusya'dan Виктор

Ben sohbet şimdi

TIP112 Alan Etkili Transistör, Yüksek Frekans Transistör

Büyük resim : TIP112 Alan Etkili Transistör, Yüksek Frekans Transistör

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Shenzhen, Çin
Marka adı:	Hua Xuan Yang
Sertifika:	RoHS、SGS
Model numarası:	TIP112

Ödeme & teslimat koşulları:

Min sipariş miktarı:	1000-2000 PCS
Fiyat:	Negotiated
Ambalaj bilgileri:	kutulu
Teslim süresi:	1 - 2 hafta
Ödeme koşulları:	L / CT / T Batı Birliği
Yetenek temini:	18.000.000 ADET / Günde

İletişim

TIP112 Alan Etkili Transistör, Yüksek Frekans Transistör

Açıklama

ürün kimliği:	TIP112	Özelliği:	Düşük Toplayıcı Verici Doyma Gerilimi
Kollektör Güç Tüketimi:	2W	Kavşak Sıcaklık:	150℃
Kollektör-Baz Gerilimi:	1107	Verici-Baz Gerilimi:	5V
Vurgulamak:	elektronik bileşenler triyot , yarı iletken anahtar

TO-220-3L Plastik Kapsüllü Transistörler TIP112 DARLINGTON TRANSISTOR (NPN)

ÖZELLİK

Yüksek DC Akım Kazancı: h _FE = 1000 @ V _CE = 4V, I _C = 1A (Min.)
Düşük Toplayıcı-Verici Doyma Voltajı
Endüstriyel kullanım

MAKSİMUM DEĞERLENDİRMELERİ (Aksi belirtilmedikçe Ta = 25 ℃)

sembol	Parametre	değer	birim
V CBO	Kollektör-Baz Gerilimi	100	V
V CEO	Kollektör-Verici Gerilimi	100	V
V EBO	Verici-Baz Gerilimi	5	V
Ben _c	Kollektör Akımı-Sürekli	2	bir
P _C	Kollektör Güç Tüketimi	2	W
T _J	Birleşme sıcaklığı	150	℃
T stg	Depolama sıcaklığı	-55 ila +150	℃

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER (Aksi belirtilmedikçe Ta = 25 ℃)

Parametre	sembol	Test koşulları	Min	Typ	maksimum	birim
Kollektör-baz arıza gerilimi	V (BR) CBO	I _C = 10mA, I _E = 0	100			V
Kollektör-vericisi arıza gerilimi	V (BR) Genel	I _C = 30mA, I _B = 0 ^(SUS)	100			V
Verici-baz arıza gerilimi	V (BR) EBO	I _E = 10mA, I _C = 0	5			V
Kolektör kesme akımı	ICEO	V _CE = 50V, İB = 0			2	mA
Kolektör kesme akımı	ICBO	V _CB = 100V, I _E = 0			1	mA
Yayıcı kesme akımı	IEBO	V _EB = 5V, I _C = 0			2	mA
DC akım kazancı	hFE (1)	V _CE = 4V, I _C = İA	1000		12000
DC akım kazancı	hFE (2)	V _CE = 4V, I _C = 2A	500
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi	VCE (SAT)	I _C = 2A, I _B = 8mA			2.5	V
Baz yayıcı voltajı	VBE	V _CE = 4V, I _C = 2A			2.8	V
Kolektör çıkış kapasitansı	mısır koçanı	V _CB = 10 V, I _E = 0, f = 0,1 MHz			100	pF

TO-220-3L Paket Anahat Boyutları

sembol	Milimetre Olarak Boyutlar		İnç olarak Boyutlar
	Min	maksimum	Min	maksimum
bir	4,470	4.670	0.176	0.184
A1	2,520	2,820	0.099	0.111
b	0.710	0.910	0.028	0.036
b1	1,170	1,370	0.046	0.054
c	0.310	0.530	0.012	0.021
c1	1,170	1,370	0.046	0.054
D	10,010	10,310	0.394	0.406
E	8.500	8,900	0.335	0.350
E1	12,060	12,460	0.475	0.491
e	2.540 TYP		0.100 TYP
e1	4,980	5,180	0.196	0.204
F	2,590	2,890	0.102	0.114
h	0,000	0.300	0,000	0.012
L	13,400	13,800	0.528	0.543
L1	3,560	3,960	0.140	0.156
Φ	3,735	3,935	0.147	0.155